南京天微半導體有限公司
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沉積薄膜成膜設備
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原子層沉積/化學氣相沉積 涂層溶...半導體金屬和介電薄膜涂層溶液金屬：鈷、釕、鈦、鉭等金屬氧化物：氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋅等氮... -
熱原子層沉積工藝 ALD Atomic –...制造廠商：CN1 制造產(chǎn)地：韓國 設備型號：Atomic–Shell 設備狀態(tài)：單片模式全新進口 適合納米粉末 -
熱等離子體增強原子層沉積工藝AL...制造廠商：CN1 制造產(chǎn)地：韓國 設備型號：Atomic–Premium -
韓國 CN1 緊密型反應器熱原子層沉...晶片尺寸：≤6″晶片 工藝溫度：最高250℃ 應用：氧化膜（氧化鋁）等 工藝中體積非常小 -
韓國 CN1 熱原子層沉積批量式ALD...制造廠商：CN1 制造產(chǎn)地：韓國 設備型號：Atomic–Mega 設備狀態(tài)：單片模式全新進口 基地尺寸：4-12inch晶片 -
TYTAN TYSTAR 4600 迷你系列 LPC...型號：4600 制造商：TYTAN 常壓工藝 ?氧化工藝(濕法,干法) ?固態(tài)源擴散(BN,P2O5) ?液態(tài)源擴散(POCl3,BBr3) ?退火 ?納米材料 ?燒結+合金 -
韓國 CN1 熱原子層沉積ALD Atomi...設備型號：Atomic–Classic 基底尺寸：4~8”標準（晶片） 層流氣流（側氣流） 氣體輸送系統(tǒng)：起泡器、LDS等 最高溫度：450℃（晶片） -
全新研發(fā)生產(chǎn)磁控濺射鍍膜PVD沉積...Manufacturer:Allwin21Corp. Condition:New WaferSize:Small~8inch Waferloading:Manual,withLoadLock Cathodes:1~3xDeltaShapeOR1~4x8″CircleShape SputterMet...
