設(shè)備名稱：等離子干法刻蝕設(shè)備

數(shù)量：1臺

設(shè)備型號：Oxford PlasmaLab System 133 RIE

設(shè)備狀態(tài)：二手翻新

技術(shù)指標(biāo)及性能指標(biāo)：

1. 功能：反應(yīng)離子刻蝕

2. 操作方式：手動放樣和取樣，自動進(jìn)行傳樣、刻蝕等工藝處理

3. 控制系統(tǒng)：計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)具備自動操作和手動操作功能，配有不同用戶

權(quán)限級別的設(shè)備控制軟件

4. 聯(lián)鎖功能:設(shè)備控制配備齊全的軟硬件聯(lián)鎖功能

5. 材料尺寸：2″/3″/4″/5″/6″/8"/12“

6. 測試樣品：GaAs、GaN、Si、SiC

7. 樣片形狀：圓形

8. 樣片厚度：0.4~1.5 mm

9. 刻蝕速率：GaAs≥10nm/min

10. 均勻性：扣除邊緣5mm，片內(nèi)小于±5%，片間小于±5%

計(jì)算方式：±（max-min）/（2×avg）×100%

測量中心區(qū)域：每片測量5個(gè)點(diǎn)（上、中、下、左、右）

11. 射頻電源：HiLight 136+，600W，13.56MHz

12. APC自動控制范圍：1 - 60 mTorr

13. 反應(yīng)腔分子泵：Alcatel ATH400M

14. 傳片腔分子泵：Alcatel ATP150

15. 下電極冷卻方式：水冷

16. 腔體加熱范圍：RT - 70℃

17. 7路帶MFC的工藝氣體：

Cl₂ – 100sccm
BCl₃ – 100sccm
CH₄– 50sccm
Ar– 100sccm

NH₃ - 100sccm

CHF₃ - 200sccm

N₂O - 200sccm

18. Windows PC，user friendly interface

二、 設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)配置：

1. 刻蝕主機(jī) 1臺

2. 氣柜 1套

3. 控制系統(tǒng) 1套

4. 冷水機(jī) 1套